EPS a rekonstrukce LDZ | |
Energeticky úsporná opatření – TDS | |
Obnova soustavy veřejného osvětlení | |
Elektromontážní práce | |
Přístavba a stavební úpravy dílen - nábytek |
09/02/2006 |
Japonský elektronický koncern Toshiba vyvinul nový vysokorýchlostný pamäťový čip. Takzvaný FeRAM čip disponuje pamäťovou kapacitou 64 megabitov. Údaje dokáže čítať a zapisovať s rýchlosťou 200 megabytov za sekundu. Ide o prvý pamäťový čip na svete s takouto kombináciou výkonu a kapacity, informovala japonská firma. Pri FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) čipoch ide o spôsob ukladania dát do pamäti na princípe krištáľov s feroelektrickými vlastnosťami, ktoré fungujú podobne ako magnety. Toshiba chce rozšíriť využívanie FeRAM čipov, okrem iného pre vysokovýkonné mobilné digitálne prístroje, ako aj počítače. Toshiba okrem toho vyvíja v spolupráci s ďalšou japonskou elektronickou firmou NEC aj nový čip typu MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory). Jeho pamäťová kapacita je 16 megabitov a dáta dokáže čítať a zapisovať s rýchlosťou 200 megabytov za sekundu. Tiež v tomto prípade ide o doteraz najvyššie dosiahnutý výkon pre čip daného druhu. |
Proč využívat Industry-EU? Cíle portálu Industry-EU Poptávky a nabídky Industry-EU